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从理论上讲，另一个时空的光刻机可以通过沉浸技术将193纳米提升到132纳米，那么如今365纳米设备就可以提升到248nm，而248纳米则可以提升到161纳米。

从实际上讲，这项技术也可以立刻将当前的光刻技术提升百分之十五到百分之三十。

也就是说，仅靠这项技术，也足以填平或者跨越一代代差。

在另一个时空该项技术被IBM率先应用于45纳米节点商用芯片制造，紧跟着ASML、尼康等厂商很快都在193纳米沉浸原型系统取得了突破，可见技术难度其实并不太大。

只不过目前光刻机的制程还远没有达到瓶颈，因此对于这些“邪修招数”，所有厂商都是等到制程抵达193纳米瓶颈后才启动的研制计划，目前对这技术还没有重视。

而作为过来人的周至，这个漏当然要捡，早就开始了专利布局。

周至的计划是，如果引进不到目前最先进的248nmDUV光刻机，只能引进到365纳米设备的话，就附加上这项技术，将365纳米i线设备提升到248nm，同样追平世界最先进水平，打所有人一个出其不意。

如果引进到248nm设备的话，再迭加上这项技术，呵呵呵呵……

当然了，要实现这个功能，需要攻克浸没环境缺陷控制、抗蚀剂相容性等技术难点。但克服这些难点所需要的投入和研发难度，却远比硬搓升级的难度小得太多太多。

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