“3d晶体管或许有人熟悉有人陌生，事实，这早已不是什么新鲜的概念，最早的耗尽型贫沟道晶体管我们在1989年见到过，之后基于deta技术的多闸极电晶体成为业内一个重要的研究方向。m.hjaju.com

像伴英特尔早在2002年对外宣传他们的3d晶体管设计，大风集团也很早开始大力投入3d晶体管的研发。

为什么这么多人盯着这个方向，说白了，是因为当晶体管的尺寸缩小到25n以下时，传统的屏幕尺寸却已经无法缩小，那么问题会出现。

我们一起来看大屏幕。”

大屏幕出现了几张技术分析图，“二维结构晶体管自世纪60年代开始应用，到现在已使用接近半个时间，然而我们注意到，随着闸极长度越来越小，源极和汲极的距离越来越近，闸极下方的氧化物也越来越薄，从而加剧漏电的可能性。

同时，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度越小，闸极与通道之间的接触面积也越小，也是闸极对通道的影响力变小了。

尤其是当闸极长度缩小到纳米以下的时候，这些问题格外明显。

而当原本的源极和汲极拉高变成立体板状结构时，源极和汲极之间的通道变成了板状，闸极与通道之间的接触面积一下子变大了。

这样一来即使闸极长度缩小到纳米以下仍然能保留很大的接触面积，仍然可以控制电子是否能由源极流到汲极，可以说，多闸极晶体管的载子通道受到接触各平面的闸极控制，提供了一个更好的方法可以控制漏电流。

Loading...

未加载完，尝试【刷新】or【退出阅读模式】or【关闭广告屏蔽】。

尝试更换【Firefox浏览器】or【Edge浏览器】打开多多收藏！

移动流量偶尔打不开，可以切换电信、联通、Wifi。

收藏网址：www.tantanread.com

(＞人＜；)